以中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所高質(zhì)量薄層石墨烯制備技術(shù)成果為基礎(chǔ)，日前正式推出典型厚度分別為1nm和2~3nm的高質(zhì)量薄層石墨烯導(dǎo)熱粉體產(chǎn)品。目前，薄層石墨烯導(dǎo)熱粉體的生產(chǎn)規(guī)模初步放大，已經(jīng)能滿足科技研發(fā)和工業(yè)應(yīng)用的需求。
高質(zhì)量薄層石墨烯的規(guī)?；苽湟恢笔鞘┬袠I(yè)的巨大挑戰(zhàn)。中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所此前獲得了高質(zhì)量石墨烯的層間催化解離制備、電化學(xué)插層解離制備、高密度三維石墨烯及層數(shù)可控石墨烯制備等技術(shù)突破。經(jīng)過潛心技術(shù)攻關(guān)，推出了典型厚度分別為1nm和2~3nm的高質(zhì)量薄層石墨烯導(dǎo)熱粉體產(chǎn)品。典型厚度為1nm產(chǎn)品具有3個原子層的超薄厚度、近乎完美的晶化質(zhì)量，產(chǎn)品純度、層厚、尺寸、電導(dǎo)率、熱導(dǎo)率等綜合性能指標(biāo)均達到國際同期產(chǎn)品領(lǐng)先水平。
高質(zhì)量薄層石墨烯導(dǎo)熱粉體是利用插層解離方法，不同于傳統(tǒng)的氧化工藝，保留了石墨片層優(yōu)異的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能。由高質(zhì)量薄層石墨烯導(dǎo)熱粉體壓制而成的薄膜其電導(dǎo)率高達105S/m，為目前國際最理想水平。